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钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响
钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响
来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:axu4g00
【摘 要】
:
利用电容-电压关系研究了施主Nb掺杂BaTiO3陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响,得出了样品在不同冷却速率下的晶界势垒高度和载流子浓度,其值与施主掺杂含量和样品的冷却速率相关,
【作 者】
:
赵双群
【机 构】
:
宁夏大学物理与电气信息工程系
【出 处】
:
电子元件与材料
【发表日期】
:
2001年4期
【关键词】
:
钛酸钡陶瓷
离子缺位
势垒
BaTiO_3 ceramics ionic vacancy potential barrier donor
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利用电容-电压关系研究了施主Nb掺杂BaTiO3陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响,得出了样品在不同冷却速率下的晶界势垒高度和载流子浓度,其值与施主掺杂含量和样品的冷却速率相关,此结果可由在高、低施主掺杂含量下,晶粒边界处和晶粒体离子缺位的区别来解释.
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