切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
Synthesis of Novel N-Ferrocenesulfonyl Paracyclophane
Synthesis of Novel N-Ferrocenesulfonyl Paracyclophane
来源 :黑龙江科技学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:alenhrp1
【摘 要】
:
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7
【作 者】
:
YANGBing-qin,ZHUAi-Lin,SUNJing
【机 构】
:
Shannxi Key Laboratory of Physico-Inorganic Chemistry, Northwest University, Xi' an 710069
【出 处】
:
黑龙江科技学院学报
【发表日期】
:
2003年z1期
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7<
其他文献
激光场中量子散射三重微分散射截面的研究
在量子散射框架下,对真实激光场引进多光子相互作用准静态过程模型,考虑束缚-自由跃迁中电磁场的规范一致性及电子与激光场长程相互作用的极限,研究激光场对量子散射过程中三重微
期刊
(e
2e)反应
三重微分散射截面
准静态过程模型
跃迁矩阵元
Synthesis of Novel High Energy Polyaniline Derivative Containing S-S Bond in Six-membered Cycle
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7
期刊
磁场引起的近藤单态退相干机制
磁场作为一个环境能够诱导近藤单态的退相干。我们采用格林函数方法,计算磁场下量子点耦合Aharonov-Bohm环系统的退相干特性,数值结果显示磁场引起的近藤单态的退相干是一个突然
期刊
量子点
Aharonov-Bohm环
退相干
Solvent-free Reactions of Formylferrocene with Active Methylene Containing Compounds
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7
期刊
具有 Eckart 势的 Schr?dinger 方程的任意 l 波解析解
使用完全量子化规则计算了具有离心项的Eckart势,根据动量积分∫xBxA k( x) dx-∫x0Bx0A k0( x) dx=nπ和Greene-Aldrich近似化条件,得到了系统的任意l波Schr?dinger方程的解析解。讨
期刊
Eckart势
完全量子化规则
Greene-Aldrich近似
基于频率调制激光驱动的囚禁离子几何相位逻辑门
为了避免激光相位的起伏对几何相位逻辑门保真度的影响,提出一种基于囚禁离子的量子几何相位逻辑门的新方案。该方案是利用一束频率调制的行波激光场作用于两个囚禁离子上实现
期刊
量子光学
量子几何相位门
囚禁离子
频率调制
美国研究开发新的反雷达技术
美国雷锡恩公司目前正在研发一项能够精确打击面对空导弹系统的先进战术瞄准技术(AT3)。该项目能对敌方防空系统的压制产生全新的杀伤效果。rn 美国国防预先研究计划局(DARPA
期刊
美国
开发
目标数据
战术飞机
制导武器
雷达信号
主机
信号发射装置
作用距离
预先研究
无人驾驶
杀伤效果
目标截获
瞄准技术
精确定位
精确打击
防空系统
α-BeH2电子结构与光学性质的第一性原理研究
基于密度泛函理论,采用赝势平面波方法研究了α-BeH2的结构、电子和光学性质.基态下,α-BeH2晶格常数a和体积弹性模量B0计算值与实验值及其它理论值一致.根据能带理论研究了α-BeH2
期刊
第一性原理
α-BeH2
光学性质
介电函数
磷脂跨膜交换机制的研究
膜间磷脂交换是一项重要的生理活动,其对药物运输及膜功能研究有重要意义。本文用石英晶体微天平及耗散系数测试仪研究囊泡与囊泡、囊泡与支撑膜间磷脂交换行为,荧光光谱仪用来
期刊
石英晶体微天平
支撑膜
带电磷脂
交换速率
第一性原理研究BiNbO4晶体的电子结构和光学性质
此文用密度泛函理论的平面波赝势方法研究Bi Nb O4的电子结构和光学性质.获得了Bi Nb O4是一种禁带宽度为2.74 e V的直接带隙半导体,价带顶主要是由O-2p态与Bi-6s态杂化而成,
期刊
第一性原理
BiNbO4
电子结构
光学性质
与本文相关的学术论文