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系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理.同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体（Si、Ge、SiGe）纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景.
热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展
【摘 要】
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系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理.同时,对国内外采用热蒸发法制备第
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院辐射物理与技术教育部重点实验室
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2013年11期
【基金项目】
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国家自然科学基金(11004142);教育部新世纪优秀人才支持计划(11-0351)
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