【摘 要】
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基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种W波段平衡式功率放大器。采用了由两个单级放大器和两个3dB差分正交耦合器组成的全差分结构。采用变压器匹配网络,实现了良好的输入
【机 构】
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合肥工业大学光电技术研究院; 中国电子科技集团第三十八研究所; 孔径阵列与空间探测安徽省重点实验室;
【基金项目】
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国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(2016YFE0100500)
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基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种W波段平衡式功率放大器。采用了由两个单级放大器和两个3dB差分正交耦合器组成的全差分结构。采用变压器匹配网络,实现了良好的输入与输出匹配性能。利用三维电磁场仿真软件进行了电磁仿真。仿真结果表明,在90～100GHz频段内,输入与输出的匹配良好,输入反射系数S11小于-17dB,输出反射系数S22小于-14dB。在94GHz频率处,小信号增益为6.1dB,输出1dB压缩点功率为10.2dBm。芯片尺寸为1.22mm×1.42mm。该功率放大器适用于通信、雷达、成像等领域。
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