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基于宽禁带半导体氮化镓材料，设计了传统的高一低结构的碰撞电离雪崩渡越时间（IMPATT）二极管，并对其直流特性和高频特性进行了模拟研究。模拟结果显示该IMPATT二极管工作频率达到300GHz，输出功率为1．94W，直流-射频转换效率达到17．2％，结果表明氮化镓材料在太赫兹器件制造领域应用潜力巨大。