CeO2掺杂对Nb—TiO2系压敏陶瓷电性能的影响

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【摘要】

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在x(CeO2)为0～1.5%的范围内改变其掺杂浓度,研究了CeO2添加剂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.电性能测量和扫描电镜观察的结果表明:在Nb-TiO2系压敏陶瓷中,CeO2的主要作用是促使

【作者】

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李红耘罗绍华尧巍华张中太熊西周庄严

【机构】

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广州新日电子有限公司,清华大学材料科学与工程系

【出处】

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电子元件与材料

【发表日期】

：

2003年7期

【关键词】

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压敏电阻微观结构电性能 varistors microstructure electrical property

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在x(CeO2)为0～1.5%的范围内改变其掺杂浓度,研究了CeO2添加剂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.电性能测量和扫描电镜观察的结果表明:在Nb-TiO2系压敏陶瓷中,CeO2的主要作用是促使微观结构的均匀化,与Ti、Si固溶形成第二相,提高非线性,同时第二相的浓度对压敏电压的高低起着决定性作用.当x(CeO2)为0.4%时,可以得到晶粒大小均匀,瓷体结构致密,压敏电压约为15 V/mm及其它综合指标优良的低压压敏电阻.

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