论文部分内容阅读
用超高真空射频磁控溅射技术制备了高c轴取向的ZnO薄膜，并用XRD和SEM研究了溅射和冷却方式对ZnO薄膜结构性能和工艺性能的影响。结果表明：与连续溅射相比，间歇溅射可以降低ZnO（002）的晶面间距，晶粒长大致密化，随着间歇时间的延长，薄膜的自优化程度增加；与连续冷却相比，分段冷却对ZnO薄膜的质量影响不大，但可将薄膜的冷却时间，从2．5—3h缩短至1．5h左右，从而提高了薄膜的制备速率。