【摘 要】
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随着每一代新处理器的出现,对为处理器提供电源的同步降压变换器的要求也变得越来越高.为满足处理器在大工作电流和快速瞬态响应时间等方面的要求,此类同步降压变换器已经发
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随着每一代新处理器的出现,对为处理器提供电源的同步降压变换器的要求也变得越来越高.为满足处理器在大工作电流和快速瞬态响应时间等方面的要求,此类同步降压变换器已经发展成为复杂的高频多相解决方案.现在的许多应用中,工作电流可超过100A.因此,设计人员必须处理前所未有的且仍在不断增长的大电流和功率密度,同时还必须满足不断缩小的系统尺寸和不断降低的成本要求.电源变换器设计人员所面临的这些挑战进而转变为对变换器中所使用的功率半导体器件的要求.简单来说,这些要求包括:尽量减小传导和开关损失,同时降低热阻,并且支持进一步降低系统成本.所以,功率半导体器件制造商必须开发新型MOSFET器件才能满足这些要求.
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