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对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100℃等温和25-250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、100℃等温退火激发能范围为0．65～0．76eV和0．75～0．95eV；25-250℃等时退火的激发能范围在0．5～1．1eV之间，峰值位于0．81eV。