【摘 要】
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插拔式单晶LaB6阴极是我国电子束类高端仪器及设备必需的关键元件和发展的主要瓶颈。本文围绕插拔式单晶LaB6,开展了单晶精密加工、高效加热、机械夹持等制备工艺研究，并对阴极的发射性能、静态寿命等进行了测试，还开展了阴极在多个领域的应用研究。研究结果表明，所制备的阴极在电子发射性能及工作寿命方面均达到与进口阴极相当的水平，可应用于增材制造、扫描电镜、高分辨率CT等领域。
【机 构】
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中国科学院空天信息创新研究院,高功率微波源与技术重点实验室
【基金项目】
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国家重点研发计划项目（2018YFB1105200）；
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插拔式单晶LaB6阴极是我国电子束类高端仪器及设备必需的关键元件和发展的主要瓶颈。本文围绕插拔式单晶LaB6,开展了单晶精密加工、高效加热、机械夹持等制备工艺研究，并对阴极的发射性能、静态寿命等进行了测试，还开展了阴极在多个领域的应用研究。研究结果表明，所制备的阴极在电子发射性能及工作寿命方面均达到与进口阴极相当的水平，可应用于增材制造、扫描电镜、高分辨率CT等领域。
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