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设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构，其中上下两层为固定电极，中间两层为硅一硅直接键合的双面梁一质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个深入腔内的V型抽气槽，使得MEMS器件在后续的封装中能够实现内部真空。为防止V型抽气槽在划片中被水或硅渣堵塞，采用双面划片工艺。划片后，器件的总尺寸为6．8mm×5．6mm×1．72mm，其中，敏感质量块尺寸为3．2mm×3．2mm×0．86mm，