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介绍了GaN薄膜材料的主要性质,制备工艺,掺杂,衬底和缓冲层等相关问题,并概述了GaN基器件的研究现状,提出了目前GaN研究中所面临的主要问题.
氮化镓薄膜研究进展
【摘 要】
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介绍了GaN薄膜材料的主要性质,制备工艺,掺杂,衬底和缓冲层等相关问题,并概述了GaN基器件的研究现状,提出了目前GaN研究中所面临的主要问题.
【机 构】
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山东师范大学半导体研究所化学功能材料实验室
【出 处】
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山东师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2003年4期
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