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用二次阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝（AAO）模板。以AAO为模板，在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积了ZnSe半导体纳米线。SPM、TEM测试表明，模板表面形成模孔大小一致、排列规则的阵列。ZnSe纳米线的直径约为60nm，长度约为0．5μm并与模板的孔径和深度一致。在制备过程中，无需去除AAO的基底，喷金或预镀金属等处理，直接在AAO纳米孔内电沉积，制备纳米线。该方法简单、有效并且容易获得有序的半导体纳米线阵列。