【摘 要】
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发明了一类新型磁阻材料——沉积于硅基片上的金属掺杂的纳米半导体非晶碳基薄膜材料,它们具有优异的低场磁电阻效应,在磁场为2.388×10~4A/m时,磁阻可达30%以上,灵敏度
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发明了一类新型磁阻材料——沉积于硅基片上的金属掺杂的纳米半导体非晶碳基薄膜材料,它们具有优异的低场磁电阻效应,在磁场为2.388×10~4A/m时,磁阻可达30%以上,灵敏度可以与自旋阀结构的GMR材料相比美。这些材料还有优异的电致电阻效应,在室温时,它们的电致电阻可达70000%。新材料还有新颖的电磁特性,如它们的磁阻可正可负,具有电流-电压曲线的不可逆性,微分负电阻效应。研制的这类材料不仅有新颖的物理特性,具有很大的科学研究价值,而且它们的某些物性已达到了应用的程度,可望在信息工业上(高密度
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