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研究了调制掺杂AlxGa1-xN/GaN表面Pt肖特基接触的制备工艺,并对其进行了Ⅰ-V测量.通过改变对样品表面的处理工艺,研究了表面处理对调制掺杂AlxGa1-xN/GaN表面Pt肖特基结接触特性的影响,在n型掺杂浓度为7.5×1017cm-3的Al022Ga0.8N样品表面,制备得到了势垒高度为0.94 eV、理想因子为1.4的Pt肖特基接触.这与国外报道的结果接近(φ=1.2 eV,n=1.11 [l]).