【摘 要】
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利用XAFS(X-射线吸收精细结构)方法研究六方的纳米 晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构.对于第一近邻Ga-N配位,纳米 晶GaN的平均键长R、配位数N、热无序
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室,中国科学院物理研究所
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利用XAFS(X-射线吸收精细结构)方法研究六方的纳米 晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构.对于第一近邻Ga-N配位,纳米 晶GaN的平均键长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σS与晶体GaN的相近,分 别为0.194nm、4.0、0.0052nm、0.0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga-N配位的 σT增加不多,小于0.0005nm,表明第一近邻Ga-N配位的共价键作用力较强,几乎不 受温度和晶体状态的影响.对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0.3
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