【摘 要】
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采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)分别在10kV和20kV加速电压下,对SiC/W扩散偶中钨元素的面分布和线分布进行了分析。结果表明:在10kV加速电压下,钨元素只能激发出M线系,钨元素
【机 构】
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华南理工大学材料科学与工程学院实验中心,广东工业大学机电工程学院
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采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)分别在10kV和20kV加速电压下,对SiC/W扩散偶中钨元素的面分布和线分布进行了分析。结果表明:在10kV加速电压下,钨元素只能激发出M线系,钨元素的M线系和硅元素的K线系发生重叠,从而导致材料中钨元素和硅元素在面分布和线分布下无法区分。将加速电压从10kV提高至20kV,通过激发钨元素的L线系,从而实现了钨元素的分布表征,使钨元素分布趋近于真实分布情况。能谱数据再处理也进一步验证了10kV加速电压下钨元素分布紊乱是由钨元素的M线系和硅元素的K线系重叠引起的。
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