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研究Al-Si-Mg合金的微结构对其疲劳性能的影响。利用透射电子显微镜观察不同条件下Al-Si-Mg合金中位错的结构,对同一应力幅下不同循环周次试样的基体（011）面进行位错观察。结果表明,Al-Si-Mg合金的位错结构随应力幅的变化而变化,并具有一定的规律性;Mg2Si与二次硅相对位错运动具有强烈阻碍作用。材料的疲劳行为强烈地依赖于的材料的微观结构变化。