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新型低温高增益SiGe/SiHBT的研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shijunfengmm

【作 者】

：

邹德恕  陈建新  张时明  高国  杜金玉  董欣  沈光地 

【出 处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1997年12期

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