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着重研究了沉积工艺条件对多晶硅薄膜压阻灵敏度系数的影响.实验得出,适当升高多晶硅的LPCVD的沉积温度和减薄衬底的SiO_2绝缘层有利于压阻灵敏度系数值和压阻线性区的增大.在理论上解释了这些现象。
多晶硅压阻特性的探讨
【摘 要】
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着重研究了沉积工艺条件对多晶硅薄膜压阻灵敏度系数的影响.实验得出,适当升高多晶硅的LPCVD的沉积温度和减薄衬底的SiO_2绝缘层有利于压阻灵敏度系数值和压阻线性区的增大.
【机 构】
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复旦高技术公司
【出 处】
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复旦学报：自然科学版
【发表日期】
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1993年3期
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