【摘 要】
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在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难.为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制（TVS）二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息.
【机 构】
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西北核技术研究所,西安交通大学电子信息学院
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在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难.为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制（TVS）二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息.通过X 光成像、扫描电子显微镜（SEM）及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数.通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度.利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型.对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与
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