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Reliability evaluation on sense-switch p-channel flash

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dreambox007

【摘 要】

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In this paper,the reliability of sense-switch p-channel flash is evaluated extensively.The endurance result indicates that the p-channel flash could be programmed and erased for more than 10000 cycles;the room temperature read stress shows negligible infl

【作 者】

：

Side Song Guozhu Liu Hailiang Zhang Lichao Chao Jinghe Wei Wei Zhao Genshen Hong Qi He 

【机 构】

：

The58thInstitutionofElectronicScienceandTechnologyGroupCorporationofChina,SchoolofElectronicSciencea

【出 处】

：

半导体学报:英文版

【发表日期】

：

2021年8期

【关键词】

：

RELIABILITY ENDURANCE data retention sense-switch p-channel flash 

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In this paper,the reliability of sense-switch p-channel flash is evaluated extensively.The endurance result indicates that the p-channel flash could be programmed and erased for more than 10000 cycles;the room temperature read stress shows negligible infl

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