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利用MEC和LSC耦合的程序研究TEAST天线不同的相位差△矽对功率谱的影响及对功率沉积位置和电流分布的影响。通过计算发现，随着△Ф的增大，功率谱的结构发生了改变，当△Ф〉200°后功率沉积和电流密度分布由原先的向外层移动变为向内层移动；△Ф=200。时形成一个离轴最远的驱动电流，△Ф=120°、△Ф=260°时分别得到电流强度最小和最大的驱动电流。因此可以通过选取合适的天线相位差△西，实现对低杂波功率沉积和驱动电流剖面的控制。