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通过对薄膜电路制备工艺系统的研究,将传统的薄膜电路制备工艺与牺牲层技术相结合,提出了一种新型的薄膜电路制备方法。克服了对反应离子刻蚀及离子束刻蚀等干法刻蚀设备的依赖,同时取消了湿法刻蚀,避免了其对图形精度的影响。通过优化光刻胶配比,调节喷胶速率和采用溅射后退火等手段解决了牺牲层线条模糊、孔洞出现和膜基结合力差等问题。采用光刻胶牺牲层技术可以制备出高精度薄膜电路。