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以SiC、α-Al2O3微粉、Si粉、Al粉为原料，在1450℃流动氮气中制备Sialon／SiC材料。研究了不同温度保温氮化对Sialon合成的影响。研究结果表明：有部分硅粉残余没有氮化；在1100℃保温氮化的氮化率高于在1150℃、1200℃保温氮化；1100℃保温氮化，残余Si量少、分布均匀，残余硅熔聚现象较轻，利于Sialon的合成。