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对SOl（绝缘体上的硅）衬底上外延生长的SiGe层进行了研究，并利用透射电镜、AES、Raman光谱、X-ray多晶衍射等技术对SiGe／SOI材料做了表征。结果表明：制备的材料中Ge／Si元素分布均匀，SiGe层是高度弛豫的，SiGe层中应变通过产生失配位错被释放出来。
高浓度弛豫SiGe／SOI材料的制备研究
【摘 要】
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对SOl（绝缘体上的硅）衬底上外延生长的SiGe层进行了研究，并利用透射电镜、AES、Raman光谱、X-ray多晶衍射等技术对SiGe／SOI材料做了表征。结果表明：制备的材料中Ge／Si元素分布均匀，S
【机 构】
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苏州科技学院应用物理系,中科院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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苏州科技学院学报
【发表日期】
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2006年1期
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