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本文研究７７Ｋ温区和不同背场下８１芯Ｂｉ２２２３／Ａｇ带材的舆交流损耗。临界电流的测量采用标准的四引线法；交流损耗的测量是在工频下样品通以正弦交流电流，利用电测法测量的。实验结果与Ｂｅａｎ临界态模型所预言的结果一致，损耗随背场的增大（临界电流的减小）而增大，并且与频率成正比；所以带材中损耗以磁带损耗为主，涡流损耗（耦合损耗）可能忽略。