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简要说明了非晶硅、多晶硅和有机半导体用作薄膜晶体管沟道层的不足，从电学性质、光学性质和制备温度等几方面介绍了氧化物薄膜晶体管在有源阵列驱动显示技术中的优势。并介绍了氧化物沟道层制备工艺的优化和掺杂方法。最后，展望了氧化物半导体薄膜晶体管应用前景。
氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
【摘 要】
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简要说明了非晶硅、多晶硅和有机半导体用作薄膜晶体管沟道层的不足，从电学性质、光学性质和制备温度等几方面介绍了氧化物薄膜晶体管在有源阵列驱动显示技术中的优势。并介绍
【机 构】
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西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,河南大学物理与电子学院
【出 处】
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现代显示
【发表日期】
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2009年4期
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