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超势垒整流器(Super Barrier Rectifier)的主要原理是通过MOS沟道为多数载流子建立一个"超级"势垒,以替代相对可靠性较低的金属-半导体接触形成的肖特基势垒。超势垒整流器件(SBR)具有正向导通压降低、开关速度快及器件可靠性较高等优点,在汽车电子、电源领域等被广泛应用。本文设计了该器件的工艺流程并进行流片验证,对电性参数、可靠性结果进行整理分析。