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通过测量GaAs基GaxIn1-xP／AlGaInP多量子阱的光学吸收谱，揭示出采用吸收谱研究该量子阱系统所遭遇的困难，并判明吸收谱中高频振荡干扰的来源为多光束干涉，从而指出消减振荡干扰的有效途径在于降低量子阱样品的有效厚度,提出了适用于反射光谱测量的样品结构，并在实验中观察到激子跃迁．通过对反射谱进行导数操作，达到了准确测定激子跃迁能量的目的，为采用反射谱法研究该量子阱系统的光学特性提供了技术基础．