开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一。采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10nm/10nm、20nm/20nm、40nm/40nm、总厚度约600nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800nm的AlxTiyOz复合薄膜,研究了它们的介电性能,并与Al2O3、TiO2单层膜的介电性能做了比较,最后将性能较优的AlxTiyOz薄膜应用到ZnS∶MnTFEL器件中。Al2O3/TiO2多层复合膜随着结构单元中Al2O3、TiO2厚度由10nm增至40nm,介电常数由20.2减小到16.1,击穿场强由154MV/m增至174MV/m,反映介电损耗的参数ΔVy由0.09V降为0.04V,在50MV/m下漏电流密度由1×10-6A/cm2增至1×10-4A/cm2,品质因子由2.62μC/cm2降为2.46μC/cm2。AlxTiyOz薄膜的品质因子大于3.6μC/cm2,应用于ZnS∶MnTFEL器件中获得在200Hz下较高的L50(58cd·m-2)、很低的阈值电压(60~70V),而且各个像素的L-V性能有很好的重复性。