非晶硅a-Si:H膜中氢含量的深度分布研究

来源 :四川大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ljn3125678

【摘要】

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用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在～1000A—～1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一

【作者】

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彭秀峰龙先灌何福庆刘慢天周心明蔡伟郑家贵冯良桓

【机构】

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四川大学原子核科学技术研究所,四川大学材料科学系

【出处】

：

四川大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

1991年3期

【关键词】

：

氢化非晶硅薄膜氢深度分布 elastic recoil detection technique hydrogenated amorphous sili

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用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在～1000A—～1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量的总误差小于10％,探测深度为～5000.更多还原

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