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氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)具有高透光率、导电性能好等特点,作为阳极材料广泛应用于有机电致发光器件(Organic Electro-luminescent Device,OLED).但是,ITO的表面功函数与器件内的空穴传输层NPB的最高电子占有轨道(highest occupied molecular orbital,HOMO)之间存在较高的势垒,导致器件的驱动电压高、工作效率低、寿命短等问题.科学家经研究后发现ITO经氧等离子体的处理可大大提高空穴的注入和器件的稳定性.实验利用