Si衬底上生长ZnO薄膜成熟化的研究

来源 :江西师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hesur

【摘要】

：

用电子束反应蒸发（REBE）方法在Si和白宝石衬底上低温生长了ZnO晶体薄膜.测量结果表明ZnO晶粒具有类柱状的生长特性,并且首次发现Si基ZnO外延层生长的Ostwald＂成熟化＂（ripening）过程

【作者】

：

余萍熊狂炜邱东江

【机构】

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华东交通大学基础学院应用物理系,浙江大学物理系

【出处】

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江西师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2010年4期

【关键词】

：

电子束反应蒸发技术 ZNO薄膜成熟化过程 SEBE ZnO films ripening process

【基金项目】

：

江西省自然科学基金（2008GQW0017）资助项目

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用电子束反应蒸发（REBE）方法在Si和白宝石衬底上低温生长了ZnO晶体薄膜.测量结果表明ZnO晶粒具有类柱状的生长特性,并且首次发现Si基ZnO外延层生长的Ostwald＂成熟化＂（ripening）过程.研究结果还表明这种＂成熟化＂出现和衬底结构有关,而且＂成熟化＂并不影响薄膜的生长取向;光荧光激发光谱（PLE）测量显示,在330～350 nm区域有一个较宽的荧光激发峰,该宽峰跟掩埋在外延层内部的2种尺寸的ZnO量子点有关.

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