【摘 要】
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原子层沉积(ALD)是下一代超大规模集成电路的首选工艺,但是Cu籽晶层在阻挡层上的团聚限制了ALD工艺在半导体工业中的应用.目前对Cu在阻挡层TaN表面的团聚机理和行为还缺乏足
【机 构】
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中国地质大学理论化学与计算材料科学研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.20873127)
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原子层沉积(ALD)是下一代超大规模集成电路的首选工艺,但是Cu籽晶层在阻挡层上的团聚限制了ALD工艺在半导体工业中的应用.目前对Cu在阻挡层TaN表面的团聚机理和行为还缺乏足够的理论认识,为此利用第一性原理密度泛函理论(DFT)对不同覆盖度下Cu原子在TaN(111)表面的吸附能和电荷转移进行了研究,结果显示,Cu在TaN(111)表面的吸附强度随着Cu覆盖度的增加而减弱.利用从头算分子动力学模拟了500K温度下Cu单分子层在TaN(111)表面的吸附动力学行为,结果表明,在这一典型的ALD温度下,Cu层在TaN(111)表面发生团聚,与实验中的观察结果相符.
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