【摘 要】
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为避免2维材料与金属导线之间的接触电阻,构建了以呈金属特性的3层GeP3为导线和以呈半导体特性的单层GeP3为中心散射区的3-1-3 GeP3纳米器件,并用密度泛函理论和非平衡格林函
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11564217)
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为避免2维材料与金属导线之间的接触电阻,构建了以呈金属特性的3层GeP3为导线和以呈半导体特性的单层GeP3为中心散射区的3-1-3 GeP3纳米器件,并用密度泛函理论和非平衡格林函数近似相结合的第一性原理方法,计算了该器件的电输运特性及应力对输运性质的影响。结果表明,应力可以显著调节器件在费密面处的态密度,从而控制器件的透射因数和I-V特性;当中心散射区的单层GeP3的线应变大于6%时,扶手椅型3-1-3 GeP3器件将从导通状态转为非导通状态,在偏压为-0.2~0.2 V时,电流近似为零;不同层数的相
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