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采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻，研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度，晶粒微观结构，小电流性能和通流能力的影响。结果表明：当Zn2SiO4掺杂量达到0．75％（摩尔分数）时，氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀；电学性能得到改善，压敏电压梯度和非线性系数分别高达438V／mm和85，漏电流为0．15μA，样品在耐受5kA电流下的8／20μs脉冲电流波后，残压比和压敏电压变化率分别为2．0和4．0％。