【摘 要】
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研究了一种新型的有机/无机杂化钙钛矿材料(3-BrC3H6NH3)2CuBr4薄膜的聚集态形貌和良好的微观有序性特征,霍尔迁移率测试结果表明该材料为p型半导体,空穴迁移率为0.0025 cm2
【机 构】
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硅材料国家重点实验室,高分子合成与功能构造教育部重点实验室,浙江大学高分子科学与工程学系,杭州,310027;浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院,杭州,310027
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研究了一种新型的有机/无机杂化钙钛矿材料(3-BrC3H6NH3)2CuBr4薄膜的聚集态形貌和良好的微观有序性特征,霍尔迁移率测试结果表明该材料为p型半导体,空穴迁移率为0.0025 cm2·V-1·s-1.利用其在紫外-可见光谱范围内与C60薄膜具有良好的光吸收互补性,制备并研究了(3-BrC3H6NH3)2CuBr4/C60层状异质结结构中的暗态传输和光伏性能.对不同退火温度下杂化钙钛矿薄膜的聚集态特性和器件性能之间的联系进行了探讨,结果表明在低温退火条件下,由于钙钛矿结构材料中有机组分排列更加有序,器件显示更好的性能.
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