非晶硅锗三迭层电池的工艺优化

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kr1983
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该文报道了University of Toledo近两年在三叠层非晶硅锗太阳电池方面的研究进展.使用PECVD技术在不锈钢衬底上制备三结太阳电池,经过工艺优化后,电池效率达12.7%.文中研究了三结电池中的P、I层的生长条件对电池特性的影响,认为在非晶硅与微晶硅的过渡区存在着一种过渡态,可使电池的性能达到最佳.文中还研究了P、I界面的匹配和过渡层对电池性能的影响.
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