【摘 要】
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提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺。在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反
【机 构】
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北京工业大学北京市光电子技术实验室
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提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺。在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜。用Au-Sn合金(Au∶Sn=8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属反光镜的AlGaInPLED(RS-LED)外延片倒装键合到GaAs基板上,并去掉外延GaAs衬底,把被GaAs衬底吸收的光反射出去。与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有分布布拉格反光镜(DBR)的AlGaInP吸收衬底LEDs(DBR-AS-LED)电、光特性的比较,用透明导电ITO做欧姆接触的AlGaInP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度。正向电流20mA时,RS-LED的光输出功率分别是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED20mA下峰值波长624nm的轴向光强达到了179.6mcd,分别是AS-LED20mA下峰值波长627nm和DBR-AS-LED20mA下峰值波长623nm轴向光强的2.2倍和1.3倍。
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