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基体偏压和淀积后真空退火对ITO膜结构和透射率的影响
基体偏压和淀积后真空退火对ITO膜结构和透射率的影响
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wennny77
【摘 要】
:
通过对直流磁控偏压溅射的 ITO 膜作结构和光谱分析表明,基体偏压可导致膜中 In_2O_3沿(222)晶面择优取向,淀积后真空退火不影响 In_2O_3沿(222)晶面取向生长,正、负偏压对膜
【作 者】
:
张怀武
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
1992年3期
【关键词】
:
真空退火
透射率
影响
ITO膜
结构
Biasing Voltage
Vacuum Annealing
ITO Film
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通过对直流磁控偏压溅射的 ITO 膜作结构和光谱分析表明,基体偏压可导致膜中 In_2O_3沿(222)晶面择优取向,淀积后真空退火不影响 In_2O_3沿(222)晶面取向生长,正、负偏压对膜在红外区透射率影响明显不同。
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