基体偏压和淀积后真空退火对ITO膜结构和透射率的影响

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通过对直流磁控偏压溅射的 ITO 膜作结构和光谱分析表明,基体偏压可导致膜中 In_2O_3沿(222)晶面择优取向,淀积后真空退火不影响 In_2O_3沿(222)晶面取向生长,正、负偏压对膜在红外区透射率影响明显不同。
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