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碳纳米管（CNT）具有良好的场发射特性，研究表明，垂直于基板的碳纳米管具有较其他取向更大的场发射能力，本文介绍一种在大面积基板上使碳纳米管取向垂直的方法，通过有关参数的实验测试，研究了解场发射能力提高程度，并估算场增强因子。本方法对制备大屏幕场发射显示器（FED）具有积极意义。
一种提高大面积碳纳米管场发射能力方法
【摘 要】
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碳纳米管（CNT）具有良好的场发射特性，研究表明，垂直于基板的碳纳米管具有较其他取向更大的场发射能力，本文介绍一种在大面积基板上使碳纳米管取向垂直的方法，通过有关参数的实验测
【机 构】
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浙江树人大学基础部,浙江大学科教发展战略研究中心
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2009年5期
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