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用SiH4气体的减压CVD法,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的(~10^11cm^2)纳米尺寸的半球状硅晶粒(硅量子点),并且对其光学吸收和发光(Photo-luminescence,PL)特性进行了评价。用表面热氧化了的硅量子点样品,在室温条件且在高于1.2eV以上的能量范围内观察到PL谱。随着量子点尺寸的减少,PL谱的光学限移向高能方向。PL谱的峰值能呈现大幅度的(约0.9eV)斯塔克