【摘 要】
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1.SiC二极管实现产业化SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管
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1.SiC二极管实现产业化SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管(SBD)和JBS结构二极管。目前,SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。
1.SiC diode industrialization SiC power electronic devices, SiC diodes to achieve the first industrialization. In 2001 Germany’s Infineon company took the lead in the introduction of SiC diode products, the United States Cree and STMicroelectronics and other manufacturers also followed the launch of SiC diode products. In Japan, Roma diodes, Nippon Wireless and Renesas have commissioned SiC diodes. Many companies are developing Schottky barrier diodes (SBDs) and JBS diode structures. Currently, SiC diodes have 600V ~ 1700V voltage level and 50A current level of the product.
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