具有低能耗的场截止型IGBT研究

来源 :东方电气评论 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sbwww

【摘要】

：

开发出场截止型IGBT并深入研究了场截止型IGBT的核心技术和关键工艺.相比非穿通型IGBT,通过场截止层的形成,芯片厚度降至105 μm,器件导通压降低于2V,关断时间小于250 ns,电

【作者】

：

王思亮胡强张世勇樱井建弥

【机构】

：

东方电气集团中央研究院,东方电气江苏华创光电科技有限公司

【出处】

：

东方电气评论

【发表日期】

：

2014年3期

【关键词】

：

功率半导体器件场截止优化平衡 power semiconductor devices IGBT field stop trade-off

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开发出场截止型IGBT并深入研究了场截止型IGBT的核心技术和关键工艺.相比非穿通型IGBT,通过场截止层的形成,芯片厚度降至105 μm,器件导通压降低于2V,关断时间小于250 ns,电学性能得到了显著提高.IGBT应用于电磁炉,在不同功率下的管壳温升为25℃～35℃,远低于非穿通型IGBT,达到了更低的能量损耗.

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