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文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上，通过引入耦合两效应的相关因子，建立了高k栅介质MOSFE了阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电压漂移的影响，获得了最佳的k值范围。
深亚微米MOSFE了阈值电压模型
【摘 要】
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文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上，通过引入耦合两效应的相关因子，建立了高k栅介质MOSFE了阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电压漂移的
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2005年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金(60376019)湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA087)
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