反应堆快中子辐照硅的深能级及退火分析

来源 :电力电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xuanchen21

【摘要】

：

利用反应堆快中子辐照控制电力半导体器件的少子寿命,器件电特性优于现有的扩金、扩铂、电子辐照和Co60-γ辐照等少子寿命控制技术.介绍了反应堆快中子辐照场特性及其在N型NT

【作者】

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张斌温婷婷王均平

【机构】

：

清华大学核能研究院

【出处】

：

电力电子技术

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

硅半导体/深能级快中子辐照 silicon semiconductor deep energy level fast neutron irradiatio

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利用反应堆快中子辐照控制电力半导体器件的少子寿命,器件电特性优于现有的扩金、扩铂、电子辐照和Co60-γ辐照等少子寿命控制技术.介绍了反应堆快中子辐照场特性及其在N型NTD硅中产生的深能级位置及退火特性,论证了主要复合能级应是Ec-0.44eV能级,同时论证了其他次要能级对改善元件通态压降的重要性.

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