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用一维非平衡辐射输运程序和实验提供的黑腔辐射流,对CH薄膜靶的辐射烧蚀进行了数值模拟计算.计算结果表明,非平衡的黑腔辐射场对CH薄膜靶辐射烧蚀的影响十分明显.出靶外界面的辐射流总强度、等效辐射温度随时间变化、400eV光子出界面延迟时间随靶厚度变化规律等方面的数值模拟结果与实验结果基本符合.
辐射烧蚀CH薄膜非平衡理论计算与实验比对分析
【摘 要】
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用一维非平衡辐射输运程序和实验提供的黑腔辐射流,对CH薄膜靶的辐射烧蚀进行了数值模拟计算.计算结果表明,非平衡的黑腔辐射场对CH薄膜靶辐射烧蚀的影响十分明显.出靶外界面
【机 构】
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北京应用物理与计算数学研究所,中国工程物理研究院
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2002年6期
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