【摘 要】
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以微米Al N、微米Ti B2以及纳米Si C为主要原料,以微米Y2o3和微米Al2o3为添加剂,采用真空N2气氛保护热压烧结工艺制备了Al N-Ti B2复相导电陶瓷材料。测试和分析了烧结样品的
【基金项目】
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河南省教育厅自然科学研究项目(2011C460001)
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以微米Al N、微米Ti B2以及纳米Si C为主要原料,以微米Y2o3和微米Al2o3为添加剂,采用真空N2气氛保护热压烧结工艺制备了Al N-Ti B2复相导电陶瓷材料。测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、硬度值以及导电性能。结果表明,当微米Al N添加量为55wt%,微米Ti B2为20wt%,纳米Si C为20wt%,微米Y2o3为3wt%以及微米Al2o3为2wt%时,且烧结温度为1880℃时,所制备的Al N-Ti B2复相导电陶瓷材料性能最佳,其相对密度为94.45%,弯曲强度为512.35MPa,洛氏硬度为104.25,电阻率值为1526μΩ.cm。
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