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在镀金Si衬底上制备一维．ZnO半导体纳米线，其制备方法采用了传统的物理气相沉积技术。制备出的纳米线的晶态结构以及形貌利用SEM、PL等技术进行分析。结果表明，温度对ZnO半导体纳米线的形貌有一定影响。
温度对ZnO半导体纳米线制备的影响
【摘 要】
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在镀金Si衬底上制备一维．ZnO半导体纳米线，其制备方法采用了传统的物理气相沉积技术。制备出的纳米线的晶态结构以及形貌利用SEM、PL等技术进行分析。结果表明，温度对ZnO半导体
【机 构】
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河北软件职业技术学院
【出 处】
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现代商贸工业
【发表日期】
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2010年13期
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